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`海飞乐技术IGBT模块现货替换IXXN200N60B3H1。
IGBT模块IXXN200N60B3H1参数 标准包装 :10 类别 :分立半导体产品 IGBT 类型: PT 配置: 单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:780W 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大):50µA Vce 时的输入电容 (Cies):9.97nF @ 25V 输入 标准 NTC 热敏电阻 无 安装类型 底座安装 在IGBT提供需要用来驱动重要逆变器级的开关能力。通常情况下,一个600 V阻断电压等级是需要从200-240 VAC操作驱动器主电源,具有1200 V青睐于460 VAC的应用。 从功率MOSFET IGBT的结构演变在80年代期间,响应于需要增加的阻断电压。这是通过增加一个额外的PN结到MOSFET架构的漏极,形成双极晶体管结构和整体NPNP半导体实现。与目前制造大多数功率晶体管,该晶体管的结构是垂直的而不是水平的,与上述PNP双极性晶体管放置在管芯的背面侧的集电极。 AP或P +的浴盆,其中包含N掺杂阱连接的源极/发射极和栅极区。电流流经该浴池进入一个比较宽的N掺杂漂移区进入收集器。然而,因为它有一个MOSFET的绝缘栅,该装置作为一个整体保持电压控制而不是电流控制。互锁双极晶体管的增益需要被仔细控制以抑制操作作为NPNP晶闸管。 ` |
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