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`海飞乐技术现货替换IXYS IGBT模块IXXN100N60B3H1。
IGBT模块IXXN100N60B3H1技术参数 标准包装:10 类别:半导体模块 家庭:IGBT系列:XPT™, GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.8V @ 15V,70A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):170A 电流 - 集电极截止(最大):50µA Vce 时的输入电容 (Cies):4.86nF @ 25V 功率 - 最大:500W 输入:标准型 NTC 热敏电阻:无安装 类型:螺钉安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC IGBT模块工作原理 从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台(反向传输电容 Cres 的放电)时,IGBT3开始建立反向电压 (t2),(dv/dt)可以通过栅极电阻控制,即栅极电阻增加,dv/dt 会降低。但是,当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时,栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域,栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时,电流变化率才能控制。电感负载时,只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时,(t3),电流就会通过相关的续流二极管换流。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 ` |
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