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` 本帖最后由 海飞乐技术 于 2018-2-28 09:26 编辑
海飞乐技术IGBT模块现货替换VS-GB70LA60UF。 IGBT模块VS-GB70LA60UF技术参数 产品种类: IGBT 模块 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 2.23 V 在25 C的连续集电极电流: 111 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 200 nA Pd-功率耗散: 447 W 封装 / 箱体: SOT-227-4 最大工作温度: + 150 C 封装: Tube 商标: Vishay Semiconductors 安装风格: SMD/SMT 栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 最小工作温度: - 40 C 工厂包装数量: 180 单位重量: 30 g 绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)是一种将MOSFET(场效应晶体管)和GTR(电力晶体管)集成于一体的复合型器件。IGBT以其优良的开关特性、易于驱动触发、稳定的热性能、较高的电流承载能力、较高的阻断电压等优点,广泛应用于机车变流器、风能、光伏、UPS、变频器等领域。 IGBT在变流设备工作中承担着功率变换和能量传输的关键作用。据有关工程应用技术数据显示,由于IGBT损坏而造成的各类变流设备发生故障的概率超过90%。因此,IGBT的安全可靠应用问题已成为国内外相关领域专家、学者及工程技术人员的研究热点。IGBT的应用可靠性问题,相当大的比重在于其驱动可靠性及其保护的设计。本文以IGBT驱动为研究对象,从IGBT的驱动电路设计要点、栅极保护电路、电压应力防护以及过流与短路保护等方面展开,给出IGBT可靠驱动的理论分析及电路解决方案。 `
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