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MOS管IXFV22N60P技术参数
制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 符合 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: PLUS-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 22 A Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压: 5.5 V Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Qg-栅极电荷: 58 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: PolarHV, HiPerFET 封装: Tube 高度: 15 mm 长度: 11 mm 系列: IXFV22N60 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: PolarHV HiPerFET Power MOSFET 宽度: 4.7 mm 商标: IXYS 正向跨导 - 最小值: 15 S 下降时间: 23 ns Pd-功率耗散: 400 W 上升时间: 20 ns 工厂包装数量: 50 典型关闭延迟时间: 60 ns 典型接通延迟时间: 20 ns 单位重量: 3 g MOSFET的尺寸缩放 过去数十年来,MOSFET的尺寸不断地变小。早期的积体电路MOSFET制程里,通道长度约在几个微米(micrometer)的等级。但是到了今日的积体电路制程,这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。2006年初,Intel开始以65纳米(nanometer)的技术来制造新一代的微处理器,实际的元件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末,MOSFET尺寸不断缩小,让积体电路的效能大大提升,而从历史的角度来看,这些技术上的突破和半导体制程的进步有著密不可分的关系。 yuemei.com/u/85919287 yuemei.com/u/85747093 yuemei.com/u/85919464 |
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