南京中科微SI24R2E芯片特性与运用领域解析

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实习生

发表于 2017-6-17 14:41:46   1208 查看 0 回复 显示全部楼层 倒序浏览
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Si24R2E
集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片

Si24R2E

  
Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段,专为低功耗有源RFID应用场合设计,集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz,共有126个1MHz带宽的信道。

  当打开启自动发射功能,内部Watchdog与内部RCOSC工作时,芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部Timer定时到时,自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射,数据发射完成后,芯片立即进入睡眠状态,因此Si24R2E的平均功耗非常低,对于电池供电应用,可以非常容易实现五年以上的待机时间。

  Si24R2E操作方式非常方便,可以不需要外部MCU,可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容,掉电后不会丢失,数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下,无需外部高压,外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程,芯片最大可编程次数为128次,芯片支持NMV加锁,防止NVM配置数据回读,保证用户数据安全。

  Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作,芯片不需要额外接口,外部微控制器(MCU)通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射,芯片完全兼容Si24R1发射功能,在不打开自动发射功能时,芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。

  Si24R2E具有非常低的系统应用成本,可以不需要外部MCU,仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源,保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。

  

主要特性
内置128次可编程NVM存储器 3.3V编程电压
超低功耗自动发射功能 内置硬件Watchdog
内置3KHZ RCOSC 内置低电压自动报警功能
超低关断功耗:0.7uA 宽电源电压范围:1.9-3.6V
超低待机功耗:<15uA 数字IO电压:3.3V/5V
发射电流(2Mbps):13.5mA(0dBm) 内部集成高PSRR LDO
最高发射功率:7dBm (23mA) 10MHz四线SPI模块
调制方式:GFSK/FSK 收发数据硬件中断输出
数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps 完全兼容Si24R2
快速启动时间:<130uS 完全兼容Si24R1发射功能
低成本晶振:16MHz±60ppm QFN20封装或COB封装


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