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[问答] 求教?晶圆切割时会有崩缺(背崩多)都有哪些参数影响
2016-12-31 16:02:29  3147
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如题!晶圆切割时会有崩缺(背崩多),都有哪些参数在影响切割?

如水、刀等,具体的都有哪些,一般都有什么样的联系?
又如:刀的转速,高怎样,低怎样?与产品本身的厚度之类有没有关系
求大神赐教!


2016-12-31 16:02:29   评论 邀请回答
10个回答
都会有影响吧,这个要看生产经验的吧我也是做芯片技术的
2017-1-1 02:46:05 评论

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说的超赞~\(≧▽≦)/~欢迎随时来电,手机号与微信同号,谢谢!
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2017-1-12 16:11:33 评论

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小学生求教了。有相关的知识嘛?
2017-3-6 20:28:50 评论

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晶圆上薄膜是不是有问题,切刀确认了没问题吗。
2017-4-5 10:13:35 评论

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2017-7-17 10:57:33 评论

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2017-8-16 10:51:53 评论

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集成电路封装测试材料设备采购销售信息群:108784692
2017-8-18 16:52:01 评论

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背崩多,可以从以下几方面去考虑(先保证切割水正常的前提下)
1.Z2的刀刃长度不宜过短,(刀刃长度>晶圆厚度+蓝膜的切割深度+100um,是保证刀切割状况良好的前提)
2.Z2的进刀速度不宜过快,就拿Disco的切割机来说,正常的状况下一班进刀速度保持在20就好
3.和wafer本身的silicon有关系,有的silicon制作工艺不行,无论将刀怎么优化,都无法避免晶圆背崩较大的状况。
4.保证Z2刀痕在Z1的刀宽内,最好居中,不然容易造成Z2单刀切入蓝膜。由于切割深度过大,无法保证Z2刀的切割稳定性
2018-8-9 10:53:17 评论

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哦,还有一点忘记说了,作业之前一定要磨刀,无论是堪用刀还是新刀,磨刀的目的就是要保证刀的砖石颗粒裸露,且磨锐利
2018-8-9 10:56:07 评论

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Silicon weafer 本質差的話,改善什麼都沒用,切割設備的精度跟速度調整也很重要.

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