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新人求问，最近需要用两个IR2104的芯片搭一个全桥驱动电路使电机正反转，电路原理图如下，现在驱动时出现了以下的问题
1.驱动NMOS管的电压我用的是13v的但实际电机两端的电压只有10v，想知道为什么会出现压降 2.ir2104的高端输出部分是用的自举电路，参考了网上的一些解释，自举电容的大小会影响高端输出电压，但我在更换了几个电容后，测量HO和VS之间的电压值发现并没有改变，想问问是什么原因 参数 自举电容：47nf的陶瓷电容 自举二极管：FR107 NMOS管：NTB5860 
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20个回答
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第一个问题，压降3v是正常的，mos管就是这样的，压降和你mos管的型号有关系，首先压降一定会有，这和mos内部的结电容和寄生二极管有关，其次如果你想要压降小一些可以换mos管型号。
第二个问题，你都测试了哪些容值得电容？ |
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第二个问题 楼主换的电容数值都是多大的 测试参数都是那些
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第一个问题是由于mos管自身的管压降所造成的 这个数值可以认定为正常范围之内
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MUF420 发表于 2018-4-20 18:11 47nf，110nf，220nf这三类 |
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MUF420 发表于 2018-4-20 18:11 那么这个mos管的压降的数值应该是看资料里的哪个。。 |
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那么这个mos管的压降的数值应该是看资料里的哪个。。 |
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顺带想问下资料中VGS是否是NMOS的导通所需要的门极电压，最大是3V?
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这个就是，datasheet里没有明确给出压降，而是给导通电阻大小的，datasheet里只有这两种情况的，通过电流不变为20A，电阻一直在变化，单位mW就是mΩ，两个相乘就是压降，你需要根据你的给的驱动电压来大概判断一下。 |
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MUF420 发表于 2018-4-21 20:26 那么我想问下现在我的自举电路部分无论怎么更换电阻，HO和VS之间的电压始终只有3v，是因为我的芯片最多能提供三伏的升压吗 |
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ho应该是mos管栅极控制电压，vs应该是自举升压后的电压，他们之间的电势差应该是提升的电压吧。 |
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但那个值就没法提高了吗‘’ |
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想问一下各位大佬，2104的高端电压始终无法拉低，上电的时候Ho口电压从10多V降到5V左右就不会下降了，低端电压正常，急求.........感谢各位大佬
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不过丶尔尔 发表于 2018-4-24 20:36 正常应该是HO输出为0，LO输出为12V |
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1.你在测试的时候，是否把下管的场馆安装上，下管的场馆的开断，可以导致VS电压的变化。
2.上管也要同时安装上，也就是说，两个场馆都必须得安装上。虽然我还没有搞明白上管的作用。 |
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