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海飞乐技术现货替换威世N沟道IGBT模块VS-GT175DA120U。 N沟道IGBT模块VS-GT175DA120U参数 最大连续集电极电流:175 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 最大栅极发射极电压:±20V 最大功率耗散:1.09 kW 封装类型:SOT-227 安装类型:面板安装 通道类型:N 引脚数目:4 开关速度:30kHz 晶体管配置:单 长度:38.3mm 宽度:25.7mm 高度:12.3mm 尺寸:38.3 x 25.7 x 12.3mm 最低工作温度:-40℃ 最高工作温度:+150℃ IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。 然而值得提出来的是,在我国,IGBT的研发系统和网络还未被完善,进而导致该产品无法在国内实现自给自足,其中最为核心的IGBT芯片还停留在海外采购进口的阶段,而 IGBT模块生产在我国的程序总共分为元件进口、工业加工、封装出厂几个部分,关键环节中的部件通过采购再进入我国加工工厂进行传统的工业级标准模块封装。而在下游企业,即是说IGBT模块成品加工制造企业,在本文主要是电动汽车生产制造企业,,如我们所熟知的比亚迪和南车时代都已经开始这样的手段来进行车用大功率的IGBT模块研究,以实现从模块到整车的自主生产。 ` |
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