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工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘ 未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s ； 曝光50s，曝光后烘烤100摄氏度，90s， 显影60s，水清洗， 烘箱140摄氏度，30min。 这几天一直通过修改曝光时间，显影方式就是将ITO玻璃浸入到cd26中晃动容器来显影，显影时间，发现间距小于2um。 的地方大部分有光刻胶残余。 这个问题困扰了好久，请各位指点迷津，提供一些建议。我现在完全不知道怎么弄了。 
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13 个讨论
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你好描述的还不够清楚曝光设备的曝光方式是怎么样的，这个很重要！
但简单来说单一的调整曝光时间是不行的要相对调整，光刻胶的厚度调整一下会有明显的效果（调整涂胶设备转速），希望能帮助你！ |
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是否考虑将胶水的浓度比例调整一下 让胶水稀一些 或者 水清洗那部分加入胶水清洗的步骤
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